電子產品的可靠性試驗分類（二）

（4）低氣壓試驗

試驗目的：考核產品對低氣壓工作環(huán)境(如高空工作環(huán)境)的適應能力。當氣壓減小時空氣或絕緣材料的絕緣強度會減弱；易產生電暈放電、介質損耗增加、電離；氣壓減小使散熱條件變差，會使元器件溫度上升。這些因素都會使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能，有時會產生永*性損傷。

試驗條件：被試樣品置于密封室內，加規(guī)定的的電壓，從密封室降低氣壓前20min直至試驗結束的一段時間內，要求樣品溫度保持在25+-1.0℃的范圍。密封室從常壓降低到規(guī)定的氣壓再恢復到常壓，并監(jiān)視這‘過程中被試樣品能否正常工作，微電路被試樣品所施加電壓的頻率在直流到20MHz的范圍內，電壓引出端出現電暈放電被視為失效。試驗的低氣壓值是與海拔高度相對應的，并分若干檔．如微電路低氣壓試驗的A檔氣壓值是58kPa，對應高度是4572m，E檔氣壓值是1.1kPa，對應高度是30480m等等。

（5）耐濕試驗

試驗目的：以施加加速應力的方法評定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力，是針對典型的熱帶氣候環(huán)境設計的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機理是由化學過程產生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結冰引起微裂縫增大的物理過程。試驗也考核在潮濕和炎熱條件下構成微電路材料發(fā)生或加劇電解的可能性，電解會使絕緣材料電阻宰發(fā)生變化，使抗介質擊穿的能力變弱。

試驗條件：潮熱試驗有兩種，即文變潮熱試驗和恒定潮熱試驗。交受潮熱試驗要求被試樣品在相對濕度為90％～100％的范圍內，用一定的時間(‘般2．5h)使溫度從25℃上升到65℃，井保持3h以上；然后再在相對濕度為80％一100％的范圍內，用一定的時間(—般2.5 h)使溫度從6s℃下降到25℃，再進行一次這樣的循環(huán)后再在任意濕度的情況下將溫度下降到一10 c，并保持3h以上‘再恢復到溫度為25℃，相對濕度等于或大于80％的狀態(tài)。這就完成了一次文變潮熱的大循環(huán)，大約需要24h。

一般一次耐濕試驗，上述交變潮熱的大循環(huán)要進行10次．試驗時被試樣品要施加—定的電壓。試驗箱內每分鐘的換氣量要求大于試驗箱容積的5倍。被試樣品應該是經受過非破壞性引線牢固性試驗的樣品。

（6）鹽霧試驗

試驗目的：以加速的方法評定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力，是針對熱帶海邊或海上氣候環(huán)境設計的．表面結構狀態(tài)差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會產生腐蝕。

試驗條件：鹽霧試驗要求被試樣品上不同方位的外露部分都要在溫度、濕度及接收的鹽淀積速率等方面處于相同的規(guī)定條件。這一要求是通過樣品在試驗箱內放置的相互間的最小距離和樣品的放置角度來滿足的。

試驗溫度：一般要求為(35+-3)'C、在24h內鹽淀積速率為2X104mg／m2~5X104mg／m2。鹽淀積速率和濕度是通過產生鹽霧的鹽溶液的溫度、濃度及流經它的氣流決定的，氣流中氧氣和氮氣比份要與空氣相同。

試驗時間：一般分為24h、48h、96h和240h等。

（7）輻照試驗

試驗目的：考核微電路在高能粒子輻照環(huán)境下的工作能力。高能粒子進入微電路會使微觀結構發(fā)生變化產生缺陷或產生附加電荷或電流。從而導致微電路參數退化、發(fā)生鎖定、電路翻轉或產生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過某一界限會使微電路產生永*性損傷。

試驗條件：微電路的輻照試驗主要有中子輻照和γ射線輻照兩大類。又分總劑量輻照試驗和劑量率輻照試驗。劑量率輻照試驗都是以脈沖的形式對披試微電路進行輻照的。在試驗中要依據不同的微電路和不同的試驗目的嚴格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會由于輻照超過界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗要有防止人體損傷的安全措施。